Low-α射线氧化铝

高纯氧化铝系列产品

Low-α射线氧化铝

Low-α射线高纯氧化铝/ Low-α射线单晶氧化铝

Low-α射线氧化铝是一种高性能陶瓷粉体材料,其核心特点是具有极低的α射线发射水平(即铀、钍等放射性元素含量极低,通常低于5ppb),同时具备晶相单一完整、粒径分布可调、导热性好、绝缘性强和高填充率等优势。‌
Low-α射线氧化铝主要用于高端芯片封装环节,作为功能填料添加到环氧塑封料中,能有效避免α射线对半导体元器件造成的信号干扰和故障,尤其在高带宽存储器(HBM)等先进封装技术中应用广泛。‌

产品参数
产品特性 单位 4N5G-L36 4N5G-L2 4N5A-L36 4N5A-L5 D4-L2
晶相
γ/无规则
γ/无规则
α/无规则
α/无规则
α/多面单晶
平均粒径
(by Bettersize Laser 9300SE)
D50, um
30-40
1-3
30-40
3-5
2.0-2.5
松装密度
g/cm3
0.55-0.65
0.30-0.40
0.70-0.80
0.65-0.75
0.70-0.80
比表面积
m2/g
45-65
50-70
≤5
≤5
≤5
纯度(Al2O3)≥
%
99.995
99.995
99.995
99.995
99.99
杂质 ≤(by ICP-OES)
Na
ppm
10
10
10
10
10
Ca
ppm
1
1
1
1
1
Fe
ppm
1
1
1
1
1
Si
ppm
10
10
10
10
10
U
ppb
5
5
5
5
5
Th
ppb
5
5
5
5
5
包装
(可按客户要求)
25kg
25kg
25kg
25kg
25kg